열 칠러

열 칠러의 주요 사양

FLTZ 5℃~90℃ 열식 칠러의 특징

• 온도 제어 정밀도 ±0.05℃까지

반도체 제조 공정에서 가장 엄격한 공정 요구사항을 충족할 수 있습니다. 예를 들어 포토리소그래피 공정에서는 미세한 온도 변동만으로도 광학계의 열 변형이 발생할 수 있으며, 온도 안정성이 노광 정밀도의 성패를 직접 좌우합니다.

• 친환경 냉매 사용

R22 등 오존층 파괴 물질을 점진적으로 대체하며 몬트리올 의정서의 전환기 요구사항을 충족합니다.

• 넓은 온도 범위(5℃~90℃)

단일 장치로 기존의 분리형 가열/냉각 시스템을 대체하여 장비 설치 면적을 줄이며, 매질 교체 없이 급속 온도 변화를 구현해 생산 효율을 향상시킵니다.

• 제어 결과의 높은 반복 정밀도

제어 결과의 높은 반복 정밀도는 반도체 공정용 칠러의 핵심 성능 지표입니다. 본 기능은 칩 제조의 수율 및 공정 안정성을 직접적으로 좌우합니다.

• 40℃ 이하 구간에서 압축기 열풍 가열 방식 적용

냉동 사이클의 폐열 회수를 통해 정밀한 온도 제어를 구현하며, 에너지 효율 최적화 및 시스템 통합의 첨단 설계 개념을 반영합니다.

• 가변 주파수 방식 에너지 절약

인버터 방식 압축기, 팬 및 펌프를 채택하여 출력 유량과 압력을 자동 제어하고 전력 소모를 절감합니다.

FLTZ 5℃~90℃ 열식 칠러 적용 분야

FLTZ 5℃~90℃ 열식 칠러는 넓은 온도 제어 범위로 인해 양방향 온도 제어가 필요한 반도체 적용 분야에 널리 사용됩니다.
 

웨이퍼 세정
 
웨이퍼 세정에서는 SC1(암모니아+과산화수소), SC2(염산+과산화수소) 등 화학 약액을 사용하여 웨이퍼를 세정하며, 반응 온도를 25℃~80℃로 안정적으로 제어해야 합니다. 본 칠러는 세정조 온도를 공정에서 제어하도록 지원하여 열응력으로 인한 웨이퍼 휨 현상을 방지하고 펌프 유닛의 과열을 억제합니다.
 
포토리소그래피  
DUV/EUV 노광기는 온도 변동에 매우 민감하므로, 포토레지스트 도포 후 특정 항온 환경을 유지해야 합니다. 반도체용 칠러는 노광기에 항온 환경을 제공합니다.
 
에칭
 
건식 에칭 공정 중 과열 및 공정 드리프트를 방지하기 위해 챔버 RF 전원 장치를 특정 온도 범위 내로 냉각 유지해야 합니다.

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열식 칠러 관련 표준형 칠러

FLTZ 5℃~90℃ 열식 칠러

냉각 용량 6kW~40kW
  냉각수 유량 1.5m³/h~9m³/h
  온도 정밀도 ±0.05℃

FLTZ -25℃～90℃ 공정용 칠러

냉각 용량 2kW~15kW
 냉각수 유량 1.2m³/h~10.2m³/h
  온도 정밀도 ±0.05℃

FLTZ -45℃～90℃ 저온형 칠러

냉각 용량 1kW~8kW
 냉각수 유량 1.5m³/h~8m³/h
 온도 정밀도 ±0.05℃

FLTZ -80℃～+90℃ 순환식 수냉 칠러

냉각 용량 0.6kW~3kW
  냉각수 유량 1.8m³/h~6m³/h
  온도 정밀도 ±0.05℃

FLTZ -100℃～+90℃ 순환식 칠러

냉각 용량 1.5kW~3kW
 냉각수 유량 50L/min~100L/min, 압력 2bar~7bar
 온도 정밀도 ±0.05℃

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